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阐述了采用１．０μｍ ＣＭＯＳ技术制作的２５６ｋ ＳＲＡＭ的存储单元。论述了存储单元的性能在ＣＭＯＳ ＳＲＡＭ中的重要性，分析了存储单元的工作原理，结构和主要参数性能。文章对几种类别的ＣＯＭＳ ＳＲＡＭ存储单元进行了分析比较，推测了技术发展趋势。
CMOS SRAM存储单元研究
【摘 要】
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阐述了采用１．０μｍ ＣＭＯＳ技术制作的２５６ｋ ＳＲＡＭ的存储单元。论述了存储单元的性能在ＣＭＯＳ ＳＲＡＭ中的重要性，分析了存储单元的工作原理，结构和主要参数性能。文章对几种类别的ＣＯＭＳ ＳＲＡＭ存储单元进行了分析比较，推测
【机 构】
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中国华晶电子集团公司中央研究所
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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1997年2期
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