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用等离子体增强化学气相沉积在多孔氧化铝（AAO）上制备出具有纳米Si阵列分布的薄膜，用透射电子显微镜和扫描电子显微镜观察了不同生长条件下的样品形貌和结构，用X射线衍射谱仪分析了样品的结晶状况．样品呈现出良好的场电子发射稳定性，开启电场为7V／μm．
在AAO衬底上制备纳米Si阵列研究
【摘 要】
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用等离子体增强化学气相沉积在多孔氧化铝（AAO）上制备出具有纳米Si阵列分布的薄膜，用透射电子显微镜和扫描电子显微镜观察了不同生长条件下的样品形貌和结构，用X射线衍射谱仪分析
【机 构】
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兰州大学物理科学与技术学院
【出 处】
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兰州大学学报：自然科学版
【发表日期】
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2007年1期
【基金项目】
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国家自然科学基金（10175030）和高等学校优秀青年教师教学科研奖励计划资助项目.
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