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用高温高压苯热合成方法制备了ＧａＰ纳米晶，用Ｘ射线衍射，光吸收谱及透射电子显微镜对所得样品进行了分析测试，结果表明，ＧａＰ纳米晶在苯热条件下是亚稳定态的，反应时间过长及反应温度过高均不利于它的生成和生长，文中还讨论了晶粒度分布与合成条件间的关系，并进行了理论上的定性分析。
苯热条件下GaP纳米晶的稳定性
【摘 要】
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用高温高压苯热合成方法制备了ＧａＰ纳米晶，用Ｘ射线衍射，光吸收谱及透射电子显微镜对所得样品进行了分析测试，结果表明，ＧａＰ纳米晶在苯热条件下是亚稳定态的，反应时间过长及反应温度过高均不
【机 构】
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山东大学图书馆,山东大学晶体材料研究所
【出 处】
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物理化学学报
【发表日期】
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1999年2期
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