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在非掺杂LEC（liquid encapsulated Czochralski）半绝缘GaAs晶体中碳和硼是主要的残留杂质，这两种杂质影响衬底的半绝缘性能和制造的器件性能。在分析GaAs中碳、硼杂质结合和分离机理基础上，采取真空烘烧、降低氧化硼温度、控制氧化硼水含量和在富砷熔体中生长晶体等措施，达到了对GaAs晶体中残留杂质硼和碳的控制。