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ARM发布基于TSMC 90 nm工艺的DDR1和DDR2存储器接口IP
ARM发布基于TSMC 90 nm工艺的DDR1和DDR2存储器接口IP
来源 :单片机与嵌入式系统应用 | 被引量 : 0次 | 上传用户:sturdy13
【摘 要】
:
ARM公司发布了其Artisan物理IP系列中的ARM Velocity DDR1和DDR2存储器接口,支持TSMC的90nm通用工艺。ARM Velocity DDRl/2存储器接口是第一个通过TSMCIP质量安全测试的、可即
【出 处】
:
单片机与嵌入式系统应用
【发表日期】
:
2007年2期
【关键词】
:
ARM公司
存储器接口
TSMC
DDR2
IP
工艺
VELOCITY
布基
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ARM公司发布了其Artisan物理IP系列中的ARM Velocity DDR1和DDR2存储器接口,支持TSMC的90nm通用工艺。ARM Velocity DDRl/2存储器接口是第一个通过TSMCIP质量安全测试的、可即量产的90nmIP。
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