沿a／b轴择优取向Bi4Ti3O12铁电薄膜的回线动力学标度

来源 :青岛大学学报：自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：huzhan_dong

【摘要】

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测量了在Pt／Ti／SiO2／Si上生长的36％a／b轴择优取向Bi4Ti3O12铁电薄膜的电滞回线，并研究了薄膜的回线动力学标度。外加电场频率的变化范围0．4～10kHz，电场幅值的变化范围653～1045kV·c

【作者】

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李超叶万能张永成卢朝靖

【机构】

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青岛大学物理科学学院,青岛大学纤维新材料与现代纺织国家重点实验室培育基地

【出处】

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青岛大学学报：自然科学版

【发表日期】

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2010年2期

【关键词】

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回线动力学 BI4TI3O12 薄膜择优取向 Dynamic hysteresis Bi4 Ti3 O12 thin films preferred

【基金项目】

：

山东省自然科学杰出青年基金（JQ200818）,青岛市科技发展计划（08-1-3-13-jch）.

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测量了在Pt／Ti／SiO2／Si上生长的36％a／b轴择优取向Bi4Ti3O12铁电薄膜的电滞回线，并研究了薄膜的回线动力学标度。外加电场频率的变化范围0．4～10kHz，电场幅值的变化范围653～1045kV·cm^-1。在外电场频率一定时，该Bi4Ti3O12薄膜的回线面积随外电场幅值的增大而增大。当外电场幅值固定时，回线面积随外电场频率的上升先增加后减小。当f=1kHz时，回线面积最大。由此可知，该Bi4Ti3O12薄膜中畴翻转的特征时间约1ms。在外电场频率低于1kHz时，回线面积〈A

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