PECVD SiN_x薄膜应力的研究

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wwtmw

【摘要】

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等离子增强化学气相淀积 ( Plasma- enhanced Chemical Vaper Deposition,PECVD)Si Nx 薄膜在微电子和微机械领域的应用越来越重要 .它的一个重要的物理参数——机械应力 ,也

【作者】

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赵永军王民娟杨拥军梁春广

【机构】

：

电子部第13研究所!石家庄050002;

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

：

1999年03期

【关键词】

：

PECVD SiN_x 工艺条件无应力机械应力气体流量离子对

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等离子增强化学气相淀积 ( Plasma- enhanced Chemical Vaper Deposition,PECVD)Si Nx 薄膜在微电子和微机械领域的应用越来越重要 .它的一个重要的物理参数——机械应力 ,也逐渐被人们所重视 .本文研究了应力跟一些基本的淀积条件如温度、压力、气体流量等之间的关系 .讨论了应力产生的原因以及随工艺条件变化的机理 .通过工艺条件的合理选择 ,做出了 0 .8～ 1 .0 μm厚的无应力的 PECVD Si Nx 薄膜

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