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GaN基半导体太阳盲区紫外探测器研究进展
GaN基半导体太阳盲区紫外探测器研究进展
来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户:YANCONG1103
【摘 要】
:
基于半导体紫外光探测器的基本类型,在对半导体紫外探测器的研发历史进行简要回顾的同时,综述了各种形式GaN基紫外探测器的研究开发现状,并报道了GaN基宽带半导体太阳盲区紫
【作 者】
:
苑进社
陈光德
张显斌
【机 构】
:
西安交通大学,西安交通大学,西安理工大学
【出 处】
:
半导体光电
【发表日期】
:
2003年1期
【关键词】
:
GAN基半导体
紫外辐射
太阳盲区
紫外探测器
GaN-based semiconductor ultraviolet radiationsolar-blind
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基于半导体紫外光探测器的基本类型,在对半导体紫外探测器的研发历史进行简要回顾的同时,综述了各种形式GaN基紫外探测器的研究开发现状,并报道了GaN基宽带半导体太阳盲区紫外光探测器研究新进展.
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