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分别在880℃／10min和880℃／60min规范下，采用Ag-Cu-Ti活性钎料实现了SiO2f／SiO2复合陶瓷与C／C复合材料的真空钎焊连接，通过电子探针（EPMA）、能谱仪（xEDS）和X射线衍射仪（XRD）分析了接头微观组织，室温下测试了接头的抗剪强度。结果表明：两种规范下所得接头界面结合良好，接头中靠近两侧母材均形成了一层扩散反应层，钎缝基体主要由均匀的共晶组织组成。880℃／10min规范下钎焊接头界面产物依次为：SiO2f／SiO2→Ti4O7→Ti5Si4＋Cu（s,s）＋Ag-Cu共