论文部分内容阅读
类石墨烯二硫化钼（MoS2）是一种具有超薄层状结构并具有直接带隙约为1.9eV的新颖二维半导体材料,因其特殊的六方晶系结构而具有优异的光学、电学、电化学等方面的性质,成为新的研究热点。本文简单介绍了类石墨烯二硫化钼（MoS2）的几种常用制备方法及优缺点,总结了类石墨烯二硫化钼（MoS2）在纳米电子器件,光电子器件和传感器领域的应用及其研究进展,对类石墨烯二硫化钼（MoS2）未来的发展进行了展望。