Cu_2O纳米阵列的铜阳极氧化法制备及其光催化杀菌性能研究

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本文通过阳极氧化法直接在铜片上生长出纳米氧化亚铜阵列,所得到的样品通过扫描电子显微镜(SEM),紫外可见漫反射(UV-Vis diffuser reflectance),X-射线光电子能谱(XPS)等方法进行了表征,并研究了不同形貌氧化亚铜的杀菌效果.实验结果表明:反应过程中在阳极液中加入一定量的CTAB,有助于氧化亚铜的定向生长.通过控制反应条件(如电流密度,温度,和反应时间),可以得到不同形貌的氧化亚铜.随着电流密度的增大,氧化亚铜的形貌从网状,片状到棒状进行转化.所得到氧化亚铜的禁带宽度为1.95 eV.用所得样品进行杀菌实验,1 h内棒状氧化亚铜的杀菌率达到90.85%,而其它形貌的氧化亚铜杀菌率只有50%左右,与空铜片的杀菌率30%相比,所制得氧化亚铜具有较好的杀菌效果.
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