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采用复合靶磁控共溅射法制备了含纳米碳粒的氧化硅薄膜.测量显示,随着正向偏压的增加,来自Au/含纳米碳粒氧化硅膜/p-Si结构的电致发光峰位于650 nm处几乎不移动.
镶嵌纳米碳粒氧化硅膜的电致发光研究
【摘 要】
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采用复合靶磁控共溅射法制备了含纳米碳粒的氧化硅薄膜.测量显示,随着正向偏压的增加,来自Au/含纳米碳粒氧化硅膜/p-Si结构的电致发光峰位于650 nm处几乎不移动.
【机 构】
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西北师范大学
【出 处】
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西北师范大学学报：自然科学版
【发表日期】
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2005年3期
【基金项目】
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国家自然科学基金，教育部科学技术基金，甘肃省自然科学基金，西北师范大学校科研和教改项目
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