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期刊论文
量子效应对MOSFETs阈值电压和栅电容的影响
量子效应对MOSFETs阈值电压和栅电容的影响
来源 :安徽大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:bareet
【摘 要】
:
根据改进后的三角势阱场近似,并考虑量子化效应,提出了一种基于物理的阈值电压和栅电容的解析模型,给出了MOSFETs的阈值电压和栅电容的解析表达式,并与经典理论结果进行了比
【作 者】
:
代月花
陈军宁
柯导明
孙家讹
【机 构】
:
安徽大学
【出 处】
:
安徽大学学报(自然科学版)
【发表日期】
:
2004年6期
【关键词】
:
MOSFET
阈值电压
电容
量子效应
量子化
解析模型
解析表达式
势阱
近似
经典理论
quantum effectsthreshold voltagega
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根据改进后的三角势阱场近似,并考虑量子化效应,提出了一种基于物理的阈值电压和栅电容的解析模型,给出了MOSFETs的阈值电压和栅电容的解析表达式,并与经典理论结果进行了比较.
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