N^＋和N2^＋注入Si的力学和电学特性

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：daxia3301

【摘要】

：

本文用X射线衍射（XRD）的运动学理论和扩展电阻（SR）研究了N+和N2+注入Si的力学和电学性质,给出了不同剂量的晶格应变随注入深度的分布以及在注入层中产生的点缺陷数量。用SR给出了

【作者】

：

马德录尚德颖

【机构】

：

辽宁大学物理系,沈阳冶金机械专科学校沈阳,沈阳

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

1990年8期

【关键词】

：

离子注入 N SI X射线衍射晶格应变 Ion implantation X-ray diffraction Spreading resistance

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本文用X射线衍射（XRD）的运动学理论和扩展电阻（SR）研究了N+和N2+注入Si的力学和电学性质,给出了不同剂量的晶格应变随注入深度的分布以及在注入层中产生的点缺陷数量。用SR给出了不同剂量N+和N2+注入Si的电阻率随深度的变化。二者比较,我们实验的各种剂量(1×1016cm-2除外)的电阻率大致相等,而产生的应变,后者是前者的1.3倍左右。更多还原

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