【摘 要】
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通过溶胶G凝胶法制备了一种稀土Ce掺杂的ZnOGBi2O3压敏薄膜,对薄膜进行了XRD、AFM、介电与压敏性能的表征. 结果表明,Ce掺杂不会影响ZnOGBi2O3 压敏薄膜的晶体结构,但是会减
【机 构】
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江苏大学材料科学与工程学院,常州明尔瑞陶瓷有限公司,电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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通过溶胶G凝胶法制备了一种稀土Ce掺杂的ZnOGBi2O3压敏薄膜,对薄膜进行了XRD、AFM、介电与压敏性能的表征. 结果表明,Ce掺杂不会影响ZnOGBi2O3 压敏薄膜的晶体结构,但是会减小ZnOGBi2O3压敏薄膜的晶粒尺寸.Ce掺杂会降低ZnOGBi2O3压敏薄膜的漏电流,减小材料的介电损耗,提升ZnO-Bi2O3压敏薄膜的非线性性能.当Ce掺杂量达到0.3%（摩尔分数）时,ZnOGBi2O3压敏薄膜的压敏电压达到了175V/mm,漏电流降低至502μA.
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