HgCdTe材料的制备及其红外器件综述

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近年来,HgCdTe材料在红外领域的应用得到了长足的发展,并成为继Si和GaAs以后最为重要的半导体材料之一。在发展过程中,由最初的采用体材料直接制作器件,发展到目前利用薄膜技术来制作器件,并通过灵活运用各种薄膜的制备和掺杂技术,采用不同的器件结构,使器件的性能取得了极大的提高。由单元到多元到焦平面,由单色到双色,由低温到高温,由短波波段到长波波段,HgCdTe红外探测器已发展成为了种类最齐全,应用最广泛的一类红外探测器。
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