【摘 要】
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随着器件尺寸的进一步减小，Si能带的非抛物线性以及高电场对MOSFET中沟道电子输运的影响变得越来越重要。在基于全能带蒙特卡罗方法的基础上，研究了非抛物线因子对沟道电子输运
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随着器件尺寸的进一步减小，Si能带的非抛物线性以及高电场对MOSFET中沟道电子输运的影响变得越来越重要。在基于全能带蒙特卡罗方法的基础上，研究了非抛物线因子对沟道电子输运的影响。研究表明，非抛物线因子对小尺寸器件输运电流的影响大，而对大尺寸器件输运电流的影响不明显，这意味着对于深亚微米MOSFET必须考虑非抛物线因子对器件电子输运的影响。
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