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纳米集成电路静态功耗机理及低功耗设计技术
纳米集成电路静态功耗机理及低功耗设计技术
来源 :微电子学与计算机 | 被引量 : 0次 | 上传用户:coral623
【摘 要】
:
对当前纳米级低功耗设计中静态功耗的产生机理以及各种降低漏电流功耗的电路设计理论及其特点做详细的论述.以期为相关研究:设计人员提供有益参考。
【作 者】
:
徐懿
李丽
高明伦
黄壮雄
杨盛光
【机 构】
:
南京大学物理系微电子设计研究所,南京大学江苏省光电信息功能材料重点实验室
【出 处】
:
微电子学与计算机
【发表日期】
:
2007年5期
【关键词】
:
低功耗设计
阈值电压
堆垛效应
low-power
threshold voltage
stacking effect
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对当前纳米级低功耗设计中静态功耗的产生机理以及各种降低漏电流功耗的电路设计理论及其特点做详细的论述.以期为相关研究:设计人员提供有益参考。
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