【摘 要】
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通过对碲镉汞材料进行Ａｓ注入以及退火，成功地制备了Ｐ－ｏｎ－Ｎ型光伏器件。器件的截止波长为５．５，黑体探测率Ｄ（５００Ｋ，１Ｋ，１００）可达２．１×１０ｃｍＨｚＷ通过对器件的变温电流－电压关系的测量，利用等效电路进行拟合后，我们发现，限制器件
【机 构】
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中科院传感技术国家重点实验室，中科院上海技术物理研究所
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通过对碲镉汞材料进行Ａｓ注入以及退火，成功地制备了Ｐ－ｏｎ－Ｎ型光伏器件。器件的截止波长为５．５，黑体探测率Ｄ（５００Ｋ，１Ｋ，１００）可达２．１×１０ｃｍＨｚＷ通过对器件的变温电流－电压关系的测量，利用等效电路进行拟合后，我们发现，限制器件优质因子Ｒ。Ａ的主要因素是并联电阻。估计此并联电阻可能由表面漏电和体缺陷引起。
P-on-N photovoltaic devices were successfully fabricated by As injection and annealing of HgCdTe materials. The cut-off wavelength of the device is 5.5, and the detection rate of blackbody D (500K, 1K, 100) can reach 2.1 × 10cmHzW. After fitting the temperature dependent current-voltage relationship of the device with the equivalent circuit, , Limit the device quality factor R. A main factor is the shunt resistor. It is estimated that this parallel resistance may be caused by surface leakage and body defects.
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