【摘 要】
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采用溶胶-凝胶法在Si（111）和Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备Ba4Nd9.33Ti18O54（BNT）介质薄膜,采用X线衍射仪（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）研究了不同退火温度对薄膜结构和表面形貌的影响。结果
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,川庆钻探工程有限公司地质勘探开发研究院
【基金项目】
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中央高校基本科研业务费专项资金资助项目
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采用溶胶-凝胶法在Si（111）和Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备Ba4Nd9.33Ti18O54（BNT）介质薄膜,采用X线衍射仪（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）研究了不同退火温度对薄膜结构和表面形貌的影响。结果表明当薄膜在950℃下退火2h后具有较好结晶质量的钨青铜结构,所得到的薄膜表面较为疏松;通过掺入质量分数为2%B2O3-2SiO2,可进一步将BNT薄膜的晶化温度降至900℃,且结构致密。介电性能测试表明,1 MHz频率下BNST薄膜的介电常数为45,介电损耗为1.1%,30V偏压下漏电
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