【摘 要】
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IGBT器件的失效是与其动态特性相关的复杂过程，涉及到电热机械等多方面因素，如何描述这一过程是掌握器件可靠性的基础。本文从IGBT的导电机理出发，提出采用二极管势垒电容表征其
【机 构】
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重庆大学输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室
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IGBT器件的失效是与其动态特性相关的复杂过程，涉及到电热机械等多方面因素，如何描述这一过程是掌握器件可靠性的基础。本文从IGBT的导电机理出发，提出采用二极管势垒电容表征其内部寄生电容的方法，建立了IGBT的电路模型，描述其动态特性，并以子电路形式集成到PSPICE软件中。最后进行了模型验证和敏感度分析，结果证实该模型在描述IGBT动态特性方面的效果是可以接受的。
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