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为降低电光开关的插入损耗及简化其结构,提出了一种利用包层各向异性的FBG（光纤布拉格光栅）制作光开关的新思路,并用耦合模理论对其原理进行了分析;同时,提供了一种用掺镁LiTaO3 晶体作为光栅包层制作这种光开关的方法.仿真结果表明,电场改变106 V/m 时,消光比可达到约42.32dB.该光开关具有较高的消光比,且相比于现有的FBG 光开关,具有更简单的结构.