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采用磁控溅射法在石英玻璃基片上生长ZnO和ZnO2Ag薄膜。借助于SEM、XRD、霍尔测试、透射谱测试等方法，分析了02气氛下退火温度对薄膜结构和电学性能的影响。霍尔测试结果表明，Ag掺杂ZnO薄膜经过600oC的02气氛中热处理转变为P型电导。薄膜的XRD测试表明晶粒大小随退火温度升高而增大，所有薄膜样品只出现（002）衍射峰，呈现c轴取向生长。薄膜对可见光的透过率大于83％，其吸收限为378nm。