离子注入方法形成电流限制孔径及其对器件光电特性的影响

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:papyevin
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
采用离子注入方法和后续的退火工艺制作了1.3μm面发射电致发光(EL)器件结构的电流限制孔径,通过对此结构的电学和光学特性进行测试分析,获得了离子注入和退火温度的优化参数,工艺参数为离子注入剂量5×10^14cm^-2和450℃退火1min.结果显示随着电流限制孔径的缩小,器件的电阻呈线性增大;电流限制孔径的形成显著增强1.3μm面发射器件结构的电致发光强度,孔径为15μm的样品是没有限制孔径样品的4倍(注入电流3mA),并就电流限制孔对EL器件结构电致发光的影响进行了物理解释.
其他文献
利用超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)成功实现了Si1-xGex的低温选择性外延生长.并研究了H2对选择性外延生长的影响及其作用机理.以SiH4和GeH4为反应气源,在开有6mm×6mm窗口氧化
采用传统的光刻和湿法腐蚀工艺制作了1.55μm波长的新型半导体激光器和模斑转换器的单片集成器件,其中激光器采用脊型双波导,模斑转换器采用掩埋双波导结构,水平楔型的有源波导和
研究了不同偏置条件下,全耗尽SOI NMOSFET的总剂量抗辐射特性,主要讨论不同偏置条件对器件中陷获电荷的产生和分布,以及由此对器件性能产生的影响.通过器件模拟发现,在辐射过
研究了UV辅助活化与湿化学清洗活化相结合的圆片直接键合技术,并利用红外测试系统、单轴拉伸测试仪和场发射扫描电子显微镜,结合恒温恒湿实验、高低温循环实验对键合质量进行
采用线性组合算符和改进的LLP变分法,研究了磁场中无限势垒量子阱内电子与界面光学声子强耦合、与体纵光学声子弱耦合系统的基态,得到了磁极化子的振动频率和自陷能随量子阱宽
随着科技的发展和社会的不断进步, 虚拟现实技术逐渐进入了我们的生活和学习之中.本文主要将虚拟现实技术和大学枯燥的物理实验相结合, 通过三维建模软件进行各种物理仪器的
为了揭示硅片自旋转磨削加工表面层损伤机理,采用透射电子显微镜对硅片磨削表面层损伤特性进行了分析.结果表明:粗磨Si片的损伤层中有大量微裂纹和高密度位错;半精磨和精磨Si
观察了AlGaN/GaNHEMT器件在短期应力后不同栅偏置下的一组漏极电流瞬态,发现瞬态的时间常数随栅偏压变化很小,据此判断这组瞬态由电子陷阱的释放引起,为了验证这个判断,采用数值仿
电子商务是中职教育中的热门专业,特别是在国家提出商业与互联网结合发展之后,电子商务教学也受到了中职院校的重视.当前,中职院校的电子商务教学中存在一些问题,教学模式有
高职院校教学的主要目标在于培养学生的实践技能,提升学生的综合素养,为社会输送专业化、技能化人才。电气自动化专业是高职院校的重要专业,其所涉及到的范围较广,属于综合类