由W0.95Ni0.05金属薄膜形成光弹波导结构的热稳定性

来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户：cd21love

【摘要】

：

InGaAsP/InP双异质结构外延片在直流负偏压120 V作用下,利用射频溅射和光刻剥离技术在样品表面淀积厚为110 nm的W0.95Ni0.05金属薄膜应变条，并在该应变条下的半导体内形成了对

【作者】

：

邢启江徐万劲

【机构】

：

北京大学物理系

【出处】

：

半导体光电

【发表日期】

：

2001年1期

【关键词】

：

光弹效应热稳定性金属薄膜波导结构 WNi/semiconductor contact photoelastic effect planar wavegui

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InGaAsP/InP双异质结构外延片在直流负偏压120 V作用下,利用射频溅射和光刻剥离技术在样品表面淀积厚为110 nm的W0.95Ni0.05金属薄膜应变条，并在该应变条下的半导体内形成了对InGaAsP/InP双异质结构侧向光具有良好限制作用的光弹波导结构。W0.95Ni0.05金属薄膜及由其形成的光弹波导器件在氢氮混合气体的保护下，分别在250 ℃、350 ℃、450 ℃和600 ℃温度下各退火30 min以后，W0.95Ni0.05金属薄膜中压应变减少了十分之一。光弹波导器件输出椭圆形近场光模

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