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本文推导了一种可简便、准确、直观计算和分析pn结I-V特性的公式和方法，并应用该方法对两类典型HgCdTe环孔pn结的I-V、RD-V特性进行了计算和拟合；得到了表面欧姆（反型沟道）漏电导、二极管理想因子n随电压的分布等反映二极管结特性的重要参数。计算结果表明，对于长波HgCdTe光伏器件而言，表面漏电流在整个暗电流中所占的比重相当大，表面漏电流严重地制约着器件性能。HgCdTe材料的晶体缺陷会使二极管的理想因子n增大，从而使产生一复合电流及陷阱辅助隧穿电流增加。