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利用单温区机械振荡法合成出高纯单相AgGa_0．2In_0．8Se_2多晶，单次合成量超过400g；DSC测试结果显示其熔点为782℃，结晶温度为771℃。利用坩埚下降法在小温度梯度（2℃／cm）下生长出尺寸为φ25mm×75mm高品质无开裂AgGa_0．2In_0．8Se_2单晶。解离面（112）面摇摆曲线半峰宽为0．056°。厚度为3mm双面抛光的（112）面晶片在1．5～18μm波段透过率为65．0％～67．5％，表明所生长AgGa_0．2In_0．8Se_2晶体具有较低的吸收系