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Putative Nitrogen Sensing Systems in Higher Plants
【出 处】
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Journal of Integrative Plant Bio
【发表日期】
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2020年1期
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SiC作为第三代半导体材料，其结构稳定，有较高的击穿电场、热导率、电子饱和速率、抗辐射能力以及较宽的禁带宽度，适合制作高温、高频、大功率及抗辐射器件，并因其优秀的光电性能，成为光电集成领域的优选材料。本文采用射频磁控反应溅射和高温相分离技术作为制备方法，并结合傅里叶红外吸收光谱（FTIR）以及光致发光光谱（PL）等测试手段，对薄膜的结构和发光特性进行了分析研究。首先，分别选用乙炔或甲烷作为溅射气氛
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