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用脉冲激光沉积法（PLD）先在600℃的Si（111）衬底上沉积ZnO薄膜,然后用磁控溅射法再沉积GaN薄膜。直接沉积得到的GaN薄膜是非晶结构,将样品在氨气氛围中在850、900、950℃下退火15min得到结晶的GaN薄膜。用X射线衍射（XRD）、傅立叶红外吸收谱（FTIR）、光致发光谱（PL）和扫描电子显微镜（SEM）研究了ZnO缓冲层对GaN薄膜的结晶和形貌的影响。