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在基片加热的条件下,高纯硅靶在甲烷和氩的混合气氛中,采用直流平面磁控反应溅射,可以制备具有光电响应的氢化非晶碳硅合金薄膜。本文对不同基片温度下成膜的样品进行了电导性能测试并分析了测试结果,得出了基片温度是影响该薄膜光电导的关键因素的结论。
基片温度对非晶碳硅薄膜电导的影响
【摘 要】
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在基片加热的条件下,高纯硅靶在甲烷和氩的混合气氛中,采用直流平面磁控反应溅射,可以制备具有光电响应的氢化非晶碳硅合金薄膜。本文对不同基片温度下成膜的样品进行了电导
【机 构】
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电子科技大学材料科学与工程系,电子科技大学材料科学与工程系四川成都,四川成都
【出 处】
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电子科技大学学报
【发表日期】
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1991年4期
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