电荷耦合内透明集电极IGBT设计与仿真

来源 :北京电力电子学会2017电力电子论坛 | 被引量 : 0次 | 上传用户：mfktadxxxa

【摘要】

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针对沟槽型绝缘栅双极型晶体管(IGBT)栅电容较大、开关速度较慢的问题,基于内透明集电极(ITC)技术,将电荷耦合(CC)的思想应用于槽栅IGBT中.采用仿真工具MEDICI对电荷耦合内透

【作者】

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李哲胡冬青金锐贾云鹏谭健周璇赵豹

【机构】

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北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京100124国网智能电网研究院电工新材料及微电子研究所,北京100192

【出处】

：

北京电力电子学会2017电力电子论坛

【发表日期】

：

2017年9期

【关键词】

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绝缘栅双极型晶体管结构设计电荷耦合性能表征

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针对沟槽型绝缘栅双极型晶体管(IGBT)栅电容较大、开关速度较慢的问题,基于内透明集电极(ITC)技术,将电荷耦合(CC)的思想应用于槽栅IGBT中.采用仿真工具MEDICI对电荷耦合内透明集电极IGBT(CC-ITC-IGBT)的击穿特性、导通特性和开关特性等进行了仿真研究,重点研究了电荷耦合区掺杂浓度和局域载流子寿命控制区(LCLC)载流子寿命对器件性能的影响,并和普通的槽栅内透明集电极IGBT进行了对比.结果表明,在给定的参数范围内,新结构在快速关断区域折中特性曲线更好,在低导通压降区域,优势变得不太明显,因而电荷耦合内透明集电极IGBT更适合做快速关断型.

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