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本文讨论了理想情况下ＦＬＯＴＯＸ结构Ｅ＾２ＰＲＯＭ在斜坡脉冲作用下的阈值电压变化，并对隧道氧化层中存在净电荷时的情况作了讨论。模拟结果表明适当的斜坡脉冲电压可处ＦＬＯＴＯＸ结构Ｅ＾２ＰＲＯＭ的寿命。
FLOTOX—E^2PROM阈值电压的研究
【摘 要】
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本文讨论了理想情况下ＦＬＯＴＯＸ结构Ｅ＾２ＰＲＯＭ在斜坡脉冲作用下的阈值电压变化，并对隧道氧化层中存在净电荷时的情况作了讨论。模拟结果表明适当的斜坡脉冲电压可处ＦＬＯＴＯＸ结构Ｅ＾２ＰＲＯＭ的寿命。
【机 构】
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清华大学微电子所
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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1997年3期
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