【摘 要】
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研究了氮化钼膜电极的浸渍-煅烧法制备工艺条件及其电化学行为.试验结果表明,浸渍-煅烧法制备高活性氮化钼膜电极适宜的浸渍干燥温度为513～473K,煅烧升温速率为1K.min-1,煅烧
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研究了氮化钼膜电极的浸渍-煅烧法制备工艺条件及其电化学行为.试验结果表明,浸渍-煅烧法制备高活性氮化钼膜电极适宜的浸渍干燥温度为513～473K,煅烧升温速率为1K.min-1,煅烧温度为990K,煅烧时间为2h,冷却方式为在氨气保护下随炉降温;浸渍-煅烧法制备的氮化钼电极成膜均匀,与基体附着性强;在-0.22～0.36V(vs SCE)电位范围内,循环伏安图基本上呈现矩形,当扫描速度s≤100mV.s-1时,电流密度与电势扫描速度成正比,电极电容特征显著,动力学可逆性好,稳定性与重现性好.
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