电子诱导脱附研究钨表面O2对N2的置换吸附

来源 :物理化学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：qhjiso

【摘要】

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实验测量了室温高真空条件下,多晶 W表面 O2和 N2的电子诱导脱附( ESD)阈值能量.O2-W吸附对的 ESD能量约为 15.5 eV,N2-W吸附对的 ESD能量约为 13.8 eV.实验结果具有良好的可

【作者】

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张彤吴强胡安毛福明杨学谦

【机构】

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东南大学电子工程系,南京师范大学数学与计算机科学学院,南京大学固体微结构物理国家重点实验室,东南大学电子工程系

【出处】

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物理化学学报

【发表日期】

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2003年8期

【关键词】

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电子诱导脱附钨表面 O2 N2 置换吸附阈值能量信号调制法表面化学 electron-stimulated desorption threshold e

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实验测量了室温高真空条件下,多晶 W表面 O2和 N2的电子诱导脱附( ESD)阈值能量.O2-W吸附对的 ESD能量约为 15.5 eV,N2-W吸附对的 ESD能量约为 13.8 eV.实验结果具有良好的可重复性.利用 ESD阈值能量研究了多晶 W表面 O2对 N2的置换吸附过程,表明在一定的时间间隔内,O2可以置换吸附在多晶 W表面的 N2,且该过程不可逆.对实验结果进行了分析.

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