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利用硅烷与甲烷的混合气在射频电场下的等离子体反应,淀积不同导电类型的非晶碳化硅薄膜,制成了p-i-n结注入型和均匀材料的碰撞电离型两种大面积发光二极管。本文报导这两种非晶发光器件的结构设计及光谱特性,并对器件的发光机现进行了讨论。
两种非晶碳化硅薄膜发光二极管
【摘 要】
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利用硅烷与甲烷的混合气在射频电场下的等离子体反应,淀积不同导电类型的非晶碳化硅薄膜,制成了p-i-n结注入型和均匀材料的碰撞电离型两种大面积发光二极管。本文报导这两种
【机 构】
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陕西机械学院,陕西机械学院
【出 处】
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发光学报
【发表日期】
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1990年4期
【基金项目】
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国家自然科学基金资助课题
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