【摘 要】
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应用中频感应加热提拉法生长出掺杂浓度为10%原子分数的Yb∶YAP晶体,研究了室温下Yb∶YAP晶体的吸收和发射光谱特性以及荧光寿命。Yb∶YAP晶体在959nm处有最强吸收,吸收截面
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应用中频感应加热提拉法生长出掺杂浓度为10%原子分数的Yb∶YAP晶体,研究了室温下Yb∶YAP晶体的吸收和发射光谱特性以及荧光寿命。Yb∶YAP晶体在959nm处有最强吸收,吸收截面约为1.51×10^-20cm^2,在1040nm处的发射截面为0.6×10^-20cm^2,激光上能级荧光寿命为1.2 ms,此处自吸收较小,是实现激光输出的候选波长。研究了氧气退火对Yb∶YAP晶体的光谱性能的影响。Yb∶YAP晶体轴向效应明显,b轴将是作为激光输出的首选方向。比较了Yb∶YAP晶体和
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