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CZ硅单晶受中子辐照,产生辐照缺陷,使其电阻率相对于其原始值有一定的偏差,经氮气气氛、650～700℃热处理,其电阻率可以基本恢复原始值.
中子辐照CZ硅单晶热处理后的电阻率变化
【摘 要】
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CZ硅单晶受中子辐照,产生辐照缺陷,使其电阻率相对于其原始值有一定的偏差,经氮气气氛、650～700℃热处理,其电阻率可以基本恢复原始值.
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十六研究所
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2005年3期
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