【摘 要】
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分析了P沟VDM0s器件结构中外延层参数与击穿电压、导通电阻之间的关系．采用Silvaco对该器件的元胞结构、物理参数和电学性能进行了模拟和优化，并设计了针对该器件的终端结构．完
【机 构】
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西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
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分析了P沟VDM0s器件结构中外延层参数与击穿电压、导通电阻之间的关系．采用Silvaco对该器件的元胞结构、物理参数和电学性能进行了模拟和优化，并设计了针对该器件的终端结构．完全依靠国内生产线流程成功开发出了P沟VDM0s制造工艺，并据此研制出了耐压值80V、输出电流14A的P沟VDMOS．测试了其静态和动态参数，均达到了设计要求．
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