【摘 要】
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利用13.56 MHz的射频等离子体化学气相沉积设备(RF-PECVD)在不同沉积温度(50~400℃)下制备了一系列氢化硅氧(SiO_(x)∶H)薄膜材料,并研究了薄膜材料性能与微结构的变化规律。
【机 构】
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中国科学院电工研究所,中国科学院大学,洁净能源国家实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金面上项目(61674151),中国科学院“变革性洁净能源关键技术与示范”战略性先导科技专项课题(XDA21060500),北京市科技计划课题(Z181100004718003)
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利用13.56 MHz的射频等离子体化学气相沉积设备(RF-PECVD)在不同沉积温度(50~400℃)下制备了一系列氢化硅氧(SiO_(x)∶H)薄膜材料,并研究了薄膜材料性能与微结构的变化规律。随着沉积温度的增加,薄膜内的氧含量(C O)下降,晶化率(X C)也下降,折射率(n)上升,此外,薄膜的结构因子(R)下降,氢含量(C H)先上升后下降,由此在合适的中间温度下可以获得最大的氢含量。通过实验结果分析提出了不同沉积温度下制备硅氧薄膜的内在微结构模型:低温下沉积的硅氧薄膜是以氢化非晶硅氧(a-SiO
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