氧化镍及氧化钨薄膜电致变色机制的研究

来源 :真空科学与技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:pc00000
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
通过ZrO2膜层与NiOx,WOx膜层的不同组合,在液态电解质下,测得不同电致变色膜系的电化学特性及相应着、脱色状态的光透射性能。证明了ZrO2膜层具有导通离子而隔断电子的离子导体层特性,并对NiOx膜层的变色机制进行了探讨。用X射线衍射方法对不同状态下NiOx,WOx薄膜的物相分析表明:电致变色反应中的是离子注入膜层,使薄膜向有序化排列变化,并产生晶格类型的转变。
其他文献
介绍了一种利用激光化学气相沉积技术,在平面石英玻璃衬底上沉积平凸形Si3N4球面介质膜用作微透镜,包括LCVD的实验装置及其沉积工艺,实验结果表明,只要适当控制源气体的化学配比与浓度,调节
系统分析了利用超高真空CVD技术在Si衬底上外延Si-xGex合金的体内组分分布情况和Ge的表面偏析现象。用SIMS对Si和Ge的组分作了深度剖析。在生长过程中,组分均匀,在表面Ge浓度减小,Si浓度没有明显变化。在不
糖尿病周围神经病(DPN)变是糖尿病常见的并发症,临床治疗难度大、效果欠佳、治疗时间长,严重影响患者的生活质量。在规范的治疗基础上,配合一系列的综合护理措施,在改善患者
COD检测是现代污水处理中最主要的环节,它与化工污水处理达标程度之间有着密切的联系。基于此,文章结合氯碱化工高氯废水中COD的相关分析内容,着重对化工高氯废水中COD的检测
利用分子束磊晶(MBE)物方法在低温成长掺杂杂质Be的GaAs化合物半导体,Be将促使As于超晶格的界面中沉淀析出而形成二维的砷析出物分布矩阵。为了探讨As于超晶格的界面中沉淀析出的机制,在230℃成长掺
应用多极场理论对彩色显像管中偏转散焦进行了分析 ,结果表明 ,多极场展开式中的四极场分量是影响偏转散焦的主要因素 ,对三束的分析应分别考虑电子束在偏转场中的位置。对实
织物指的是指以植物纤维(棉纱和麻线)、动物纤维(蚕丝、羊毛)以及人造纤维(尼龙、腈纶、聚酯纤维、氨纶等)为原料,经过织机加工后得到的织品。织物的结构既受到原料类型的影
广州机电工业成套设备公司主要向企业提供机械设备配套,代理销售全国各厂家生产的金属切削机床、二类机电产品、模架、模具配件、模具钢材及柴油发电机组.产品质量三包。并根据
分析了P2P匿名通信系统模型及攻击模型,基于信息熵,针对共谋攻击,度量了几种典型的P2P匿名系统的接收者匿名度,分析了系统匿名性与系统规模N、恶意节点比例、路径长度及转发概率的关系。计算数据表明,嵌套加密使系统获得强匿名,接收者的匿名度随系统规模等的增大而增大,随恶意节点比例的增大而减小,受恶意节点比例及系统规模影响较大,受路径长度影响较小。
改变荫罩式等离子显示板(SM-PDP)的驱动电压波形,会使PDP在放电过程中的空间电场发生变化,从而使放电过程、放电特性发生变化.根据PDP放电特点,选择一个合适的驱动波形,可以