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介绍了一种宽带高电源抑制比的LDO结构。首先对传统采用运放结构的LDO难以满足PSR与运放增益带宽积的折中问题进行了分析,然后分析了采用OTA结构的LDO功耗较大的问题。为了解决上述问题,提出一种基于非对称OTA的LDO结构,功耗有了明显改善;同时在输出端支路加入了共源共栅管,进一步提升了该结构的PSR性能。采用SMIC0.18μm工艺完成设计与仿真,仿真结果表明在1MHz频率处PSR为-59.6dB,相比于传统LDO提升了19%,功耗仅为传统结构的三分之一。