脉冲射频/4O kV高压直接耦合等离子体离子注入电源系统研制

来源 :真空科学与技术学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:Ling_cheng
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研制的用于等离子体浸没离子注入(PⅢ)的电源系统采用高压隔离与高频滤波技术,将40 kV高压脉冲电源与13.56 MHz射频电源直接耦合,由单一输出电缆连接到实验靶台上,通过射频与高压脉冲的时序控制,实现了40 kV的高压脉冲与脉冲射频交替输出.工作过程中,通过射频产生等离子体,而后施加高压脉冲获得离子注入,进而实现PⅢ与沉积.该电源系统的性能指标为:高压脉冲电压幅值10~40 kV,脉冲频率10~1000 Hz,射频脉冲宽度0.01~10 ms,射频与高压间隔01~10 ms,高压脉冲功率6 kW,射频脉冲功率1 kW.实验研究表明能够有效的实现PⅢ.本文将介绍该种新电源的设计思想、电路以及在内凹零部件(如管筒内壁)等离子体离子注入等方面的应用.
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