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采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了【101】取向的Li：ZnO薄膜，研究了该薄膜的光学性能随热处理温度变化的规律．结果表明，399nm的发光峰是由Li的杂质能级引起；与【002】取向的薄膜相比，未经热处理的【101】薄膜其光学带隙大，且出现了380nm附近的带边发射（NBE）峰；在560-580℃热处理下，其晶胞变小、光学带隙变窄、360nm左右的带间发光峰红移；当热处理温度升至610℃时，薄膜中再次出现380nm的NBE峰．