N^＋、O^＋共注入形成SOI绝缘埋层的计算机模拟

来源 :核技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：li438

【摘要】

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将不同能量和注量的N+和O+离子依次注入于<100>硅片并高温退火,形成具有SiO2/SiOxNy/Si3N4埋层的SOI结构.本文使用在TRIM的基础上发展起来的IRIS模拟程序,并对IRIS模型进行了

【作者】

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林青刘相华朱鸣谢欣云林成鲁

【机构】

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中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束开放实验室

【出处】

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核技术

【发表日期】

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2003年3期

【关键词】

：

氮离子氧离子离子注入硅片 SOI绝缘埋层计算机模拟 Co-implantation SIMON SOI IRIS

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将不同能量和注量的N+和O+离子依次注入于<100>硅片并高温退火,形成具有SiO2/SiOxNy/Si3N4埋层的SOI结构.本文使用在TRIM的基础上发展起来的IRIS模拟程序,并对IRIS模型进行了改进,对N+、O+离子共注入形成的SIMON结构进行了计算机模拟,并与实验制作的样品所做截面透射电镜(TEM)测试结果进行了比较,发现模拟结果与实验所得数据吻合.

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