磁控反应溅射SnO2薄膜的气敏特性研究

来源 :电子元件与材料 | 被引量 : 0次 | 上传用户：hjlcd

【摘要】

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为研究SnO2薄膜的气敏特性,采用直流磁控反应溅射法制备了SnO2薄膜.探讨和分析了SnO2薄膜气敏元件的敏感机理.对SnO2薄膜的电阻和灵敏度的测试以及对实验结果的分析表明:SnO2

【作者】

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李朝林

【机构】

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淮安信息职业技术学院电子与信息工程系

【出处】

：

电子元件与材料

【发表日期】

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2005年1期

【关键词】

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电子技术磁控反应溅射二氧化锡薄膜气敏特性 electronic technology magnetic reactive sputtering SnO2

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为研究SnO2薄膜的气敏特性,采用直流磁控反应溅射法制备了SnO2薄膜.探讨和分析了SnO2薄膜气敏元件的敏感机理.对SnO2薄膜的电阻和灵敏度的测试以及对实验结果的分析表明:SnO2薄膜厚度在150～400 nm为宜,一般膜厚在250 nm时较为敏感.在SnO2薄膜中掺入Pd、Pt、Ag等微量杂质可大大提高SnO2薄膜气敏元件的灵敏度,且使灵敏度的峰值向低温方向移动,增强了对H2、CO和C2H5OH等可燃气体的选择性、响应时间由3 min缩短到0.5s以下.

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