【摘 要】
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采用密度泛函理论平面波赝势方法研究了TiCl4分子在TiO2(110)表面桥位氧上的吸附,对稳定吸附构型的吸附能、电荷密度、差分电荷密度、电子态密度、Mulliken电荷布居等进行计
【机 构】
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昆明理工大学冶金与能源工程学院,昆明冶金研究院,共伴生有色金属资源加压湿法冶金技术国家重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金(51404123),云南省应用基础研究计划项目(2013FC003)
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采用密度泛函理论平面波赝势方法研究了TiCl4分子在TiO2(110)表面桥位氧上的吸附,对稳定吸附构型的吸附能、电荷密度、差分电荷密度、电子态密度、Mulliken电荷布居等进行计算和分析。研究结果表明,TiCl4在完整晶胞表面不能吸附;在有氧空位的晶胞表面,TiCl4以面心向下吸附最稳定,吸附过程为放热。当表面氧空位密度为12.5%、25%时,面心向下吸附方式的吸附能分别为-29.7809kJ·mol-1和-48.6419kJ·mol-1,表明氧空位密度越高,吸附强度越强;带隙从1
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