【摘 要】
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利用热蒸发法在N型硅片表面成功制备出大面积Si02纳米线和Si02纳米棒结构。采用X射线粉末衍射(XRD),扫描电子显微镜(SEM),X射线能量色散谱(EDX),拉曼光谱(RS)和光致发光(PL)
【机 构】
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渤海大学新能源学院,渤海大学实验管理中心,辽宁工业大学理学院,沈阳地质矿产研究所
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利用热蒸发法在N型硅片表面成功制备出大面积Si02纳米线和Si02纳米棒结构。采用X射线粉末衍射(XRD),扫描电子显微镜(SEM),X射线能量色散谱(EDX),拉曼光谱(RS)和光致发光(PL)对合成的产物进行了表征。结果表明,用此方法生长的Si02纳米材料,其结构和形貌与生长参数关系密切,随着沉积温度降低纳米线长度变短,最后呈现出棒状结构。此外,还研究了Si02纳米结构独特的光学性质。该研究对改善光电子半导体器件的性能应用具有重要意义。
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