Miyaura硼化反应法合成4-氰基苯硼酸

来源 :化学与粘合 | 被引量 : 0次 | 上传用户:FB100087
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
以4-氰基溴苯为原料,联二硼酸频哪醇酯(B2Pin2)为硼化剂,通过Miyaura硼化反应制备了4-氰基苯硼酸.通过红外、核磁等分析手段对产物进行了表征.考察了催化剂和碱的种类对硼化反应的影响,实验结果表明,PdCl2(dppf)为最适宜催化剂,KOAc为适宜的碱.当DMF为溶剂,反应原料的物质的量比为4-BrC6H4CN∶B2Pin2∶KOAc=1∶1.1∶3,催化剂PdCl2(dppf)用量为3mol%,在85℃下进行Miyaura硼化反应时,4-氰基苯硼酸收率为75%.
其他文献
优化盐酸川芎嗪鼻用凝胶剂处方,对其体外释放行为进行考察.以卡波姆934和羟丙基甲基纤维素HPMC为凝胶基质,以黏度为评价指标,通过星点设计-效应面法优化凝胶处方,透析法进行
荧光薄膜在有机光电、荧光传感等领域具有广泛的应用.制备荧光薄膜的方法主要是通过旋涂法、流延法、真空镀膜法等.但是由于此类方法存在材料浪费严重,薄膜内部结构无法调控
近年来,忆阻器因其具有的电阻记忆存储功能、阈值特征、低功耗、结构简单等一系列优点吸引了全世界众多科研人员的关注。典型的忆阻器结构是一种三明治结构:上下两层是导电金属层,充当与外界相连的两个电极。中间的是绝缘层,一般是过渡金属氧化物材料。典型的忆阻器在工作的时候有三个过程:电形成过程(FORMING),置位过程(SET),复位过程(RESET)。所谓FORMING指的是:一个忆阻器件要想实现高低阻态
本文通过对荣华二采区10
期刊