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本文对功率MOSFET的反向特性进行了模拟，着重分析了N沟功率MOSFET体内集成二极管的独特的作用，并对P沟器件在特性模拟时由于PSPICE模型参数的限制而表现出来的误差进行了分析，提出了改善措施，并得到了与实际相符合的结论．
功率MOSFET反向特性的分析模拟
【摘 要】
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本文对功率MOSFET的反向特性进行了模拟，着重分析了N沟功率MOSFET体内集成二极管的独特的作用，并对P沟器件在特性模拟时由于PSPICE模型参数的限制而表现出来的误差进行了分析，提
【机 构】
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西安理工大学!西安; 710048; 中国科学院半导体研究所!北京; 100083;
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1997年01期
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