论文部分内容阅读
日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款可满足 DDR、DDR2、 DDR3 与 DDR4 等各种低功耗存储器终端电源管理要求的汲极／源极双数据速率 (DDR) 终端稳压器 TPS51200。该简便易用的新型稳压器的陶瓷输出电容仅为 20μF，比同类竞争解决方案的电容降低了近 80%。这样，设计人员可利用该器件实现更低成本、更小型化的 DDR 存储器终端解决方案，以满足数字电视、机顶盒、VGA 卡、电信、数据通信、笔记本以及台式机电脑等现代大容量存储器电子产品以及日益丰富的消费类电子产品的需求。
高宽带内部跨导，Gm放大器与积分动态电压定位均可支持超快瞬态响应，而且外部输出电容极小。在负载变动幅度为 -1.5A ～+1.5A的典型应用中，输出电压偏移小于 25 mV。TPS51200能在2.375 V～3.5V的偏置电压下工作，这使它在系统仅有2.5V或3.3V电轨的条件下极具竞争力。此外，在RAM暂停工作时，该器件还支持S3 睡眠状态控制。
TPS51200 也可用作输入电压范围为 1.1V～3.5 V 的通用高性能低降压 (LDO) 稳压器。当启用引脚连接至系统总线电压时，该器件支持跟踪启动与断电功能，这使设计人员可以轻松实施多轨系统电压排序，从而简化设计流程。
TPS51200 的推出进一步增强了 TI 丰富的 DDR 存储器电源解决方案系列，其中包括支持TPS51100 DDR 终端稳压器，集成汲极／源极 LDO 的 TPS51116 DDR 电源转换开关以及支持 DDR 终端的 TPS40042 低电压跟踪开关稳压器。TPS51200 还进一步丰富了 TI 面向存储器技术领域已经非常广泛的 DDR、DDR2 与 DDR3 锁相环 (PLL) 以及 LDO 产品，其中包括 SN74SSQE32882，作为支持寄存式双列直插式存储器模块的 PLL 集成式 DDR3 寄存器，现已全面投入量产。
采用散热性能增强型 SON-10 PowerPAD 集成电路封装的 TPS51200 产品现已批量上市。
高宽带内部跨导，Gm放大器与积分动态电压定位均可支持超快瞬态响应，而且外部输出电容极小。在负载变动幅度为 -1.5A ～+1.5A的典型应用中，输出电压偏移小于 25 mV。TPS51200能在2.375 V～3.5V的偏置电压下工作，这使它在系统仅有2.5V或3.3V电轨的条件下极具竞争力。此外，在RAM暂停工作时，该器件还支持S3 睡眠状态控制。
TPS51200 也可用作输入电压范围为 1.1V～3.5 V 的通用高性能低降压 (LDO) 稳压器。当启用引脚连接至系统总线电压时，该器件支持跟踪启动与断电功能，这使设计人员可以轻松实施多轨系统电压排序，从而简化设计流程。
TPS51200 的推出进一步增强了 TI 丰富的 DDR 存储器电源解决方案系列，其中包括支持TPS51100 DDR 终端稳压器，集成汲极／源极 LDO 的 TPS51116 DDR 电源转换开关以及支持 DDR 终端的 TPS40042 低电压跟踪开关稳压器。TPS51200 还进一步丰富了 TI 面向存储器技术领域已经非常广泛的 DDR、DDR2 与 DDR3 锁相环 (PLL) 以及 LDO 产品，其中包括 SN74SSQE32882，作为支持寄存式双列直插式存储器模块的 PLL 集成式 DDR3 寄存器，现已全面投入量产。
采用散热性能增强型 SON-10 PowerPAD 集成电路封装的 TPS51200 产品现已批量上市。